首页 | 期刊简介 | 编辑部 | 广告部 | 发行部 | 在线投稿 | 联系我们 | 产品信息索取
2024年9月21日星期六
2011年第01期
 
2010年第12期
 
2010年第11期
2010年第11期
 
2010年第10期
2010年第10期
 
2010年第09期
2010年第09期
 
2010年第09期
2010年第08期
 
2010年第07期
2010年第07期
 
2010年第06期
2010年第06期
 
2010年第05期
2010年第05期
 
2010年第04期
2010年第04期
 
2010年第03期
2010年第03期
 
2010年第02期
2010年第02期
 
2010年第01期
2010年第01期
 
2009年第12期
2009年第12期
 
2009年第11期
2009年第11期
 
2009年第10期
2009年第10期
 
2009年第9期
2009年第9期
 
2009年第8期
2009年第8期
 
2009年第7期
2009年第7期
 
2009年第6期
2009年第6期
 
2009年第5期
2009年第5期
 
2009年第4期
2009年第4期
 
2009年第3期
2009年第3期
 
2009年第2期
2009年第2期
 
2009年第1期
2009年第1期
 
2008年第12期
2008年第12期
 
2008年第11期
2008年第11期
 
2008年第10期
2008年第10期
 
2008年第9期
2008年第9期
 
2008年第8期
2008年第8期
 
2008年第7期
2008年第7期
 
2008年第6期
2008年第6期
 
2008年第5期
2008年第5期
 
2008年第4期
2008年第4期
 
2008年第3期
2008年第3期
 
2008年第2期
2008年第2期
 
2008年第1期
2008年第1期
AAT4285:负荷开关

研诺逻辑科技推出一款集成式受压摆率控制的负荷开关——AAT4285,它能够支持12V电压的应用。通过将电平位移和压摆率控制功能集成到一块单片器件中,AAT4285使得设计人员在便携式消费产品领域以及非便携式工业系统领域的各种新型12V应用中,不仅可以减少功率消耗,而且还可将外围元器件的使用总数降到最少。

AAT4285是一款P-通道MOSFET开关,专为高端负荷开关应用而设计。该器件可以在3.0V~13.2V的输入电压范围内运行,可提供一个100μs快速负荷开关接通时间;在12V时,可提供一个240mΩ的R DS(ON) (典型导通电阻),以将负荷开关功率的处理能力达到最大化;在5V时,R DS(ON) 为320mΩ。该器件的典型静态电流为25μA。
AAT4285采用了该公司的ModularBCD处理工艺。采用该工艺而生产的器件可比用传统工艺生产的器件取得更高效率、更小尺寸及更高集成水平,而且可帮助移动消费电子产品更好的管理电源并延长电池的使用寿命。

AAT4285的额定工作温度范围是?40℃~+85℃,采用无铅8引脚SC70JW封装。

AnalogicTech www.analogictech.com

《世界电子元器件》2007.6
         
版权所有《世界电子元器件》杂志社
地址:北京市海淀区上地东路35号颐泉汇 邮编:100085
电话:010-62985649
E-mail:dongmei@eccn.com