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Fairchild全新40V MOSFET
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飞兆半导体(Fairchild Semiconductor) 针对DC/DC转换推出5种N沟道40V MOSFET,分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A。FDS4770的最大Rds(on)为7.5毫欧姆,是40V、SO-8封装的MOSFET中的极低水平,而最高结点温度高达175
C。
这些40V MOSFET具有增强的抗雪崩能力,能适应恶劣的操作环境,如存在高瞬态电压的应用场合或MOSFET需要承受增强应力的工作模式。根据特定应用所要求的输入和输出电压,这些40V
MOSFET可用作同步整流器,或者在隔离和非隔离电源设计中用作初边或高边开关管。
FDS4470具有低栅极电荷,可在高频条件下实现高效率,对驱动器电路造成的应力较小。FDS4480为用户提供另一种选择,其栅极电荷与RDS(on)的关系和FDS4470不同。FDS4672A为低栅极驱动应用提供较低的阈值电压。FDS4780是FDS4480的低导通电阻型号。
http:// www.fairchildsemi.com
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