场效应管缓冲区偏差计算器

一款JFET缓冲区（共漏放大器）是很有用的，因为与晶体管相比它具有非常高的输入阻抗。

N-Channel JFET Buffer

N沟道场效应管缓冲区偏差
VDD	(V)
Desired V_RS	(V)
V_p or V_GS(off)(Pinch off Voltage, negative)截止电压	(V)
I_DSS(Zero Gate Voltage Drain Current) 零栅电压漏极电流	(mA)
结果：

I_DS	(mA)
R_S	(Ω)
V_GS	(V)

Equations:

I_DS= I_DSS(1-V_GS/Vp)²

RS= V_RS/I_DS

VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。

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