过去几年，碳化硅（SiC）MOSFET在功率电子领域迅速普及。同时，为了在汽车和电动车的三相逆变器中加强SiC的应用，SiC器件的电压电流能力需要显著提高。提高电压等级需要提 升SiC芯片本身的设计，而提高电流能力在大多数情况下则需要在单个功率模块中并联多个SiC芯片。模块经过精心设计，在高电流、散热、寄生组件管理和使用寿命之间实现了平衡。

RoadPak SiC MOSFET：1.2 kV模块完美满足上述要求，采用半桥配置，每侧可并联多达10个SiC MOSFET芯片，支持大电流。

为了充分利用SiC MOSFET技术实现的低损耗，应用层面必须实现高速切换，以降低开关损耗，提高效率。然而，在实践中，功率半导体器件的开通和关断面临一系列困难，需要仔细设计整个系统。模块的栅极驱动单元需要与功率模块完美协调，不仅要平衡栅源电压的性能，还要能驱动基本的安全特性，为逆变器的运行提供安全的机制。