适åˆé«˜å¯†åº¦åº”用的新型功率åŠå¯¼ä½“需è¦é‡‡ç”¨é—¨æžé©±åŠ¨å™¨æŠ€æœ¯ï¼Œè¿™äº›æŠ€æœ¯æ”¯æŒæ›´é«˜çš„工作电压,并且能够在更宽的温度范围内ä¿æŒé«˜å¯é 性。å°è£…还必须符åˆçˆ¬ç”µè·ç¦»å’Œç”µæ°”é—´éš™çš„å›½é™…æ ‡å‡†ã€‚æœ¬ç™½çš®ä¹¦å°†ä»‹ç»ä¸€ç§é‡‡ç”¨æ–°åž‹å·¥ä¸šå°è£…设计的创新的通信和ç»ç¼˜æŠ€æœ¯ã€‚æ¤å¤–,还æ出一ç§åœ¨ç³»ç»ŸçŸè·¯æœŸé—´æ供完善的过压ä¿æŠ¤çš„方法。
下载白皮书近期,碳化硅功率åŠå¯¼ä½“越æ¥è¶Šå—欢迎,这æ£æ˜¯ç”µåŠ¨æ±½è½¦å’Œå¯å†ç”Ÿèƒ½æºç‰é‡è¦æ–°å¸‚场å‘展迅速但é¢ä¸´æŒ‘战的局é¢æ‰€å¯¼è‡´çš„。当然,现有的功率åŠå¯¼ä½“应用也å˜å¾—æ›´åŠ è‹›åˆ»ã€‚ç¢³åŒ–ç¡…çš„å…³é”®ä¼˜åŠ¿åœ¨äºŽå…¶é«˜ä»‹ç”µå‡»ç©¿åœºå¼ºç›¸è¾ƒäºŽå…·æœ‰ç›¸åŒè€åŽ‹çš„ç¡…IGBT模å—,它å¯ä»¥ç”Ÿäº§å‡ºå…·æœ‰æ˜Žæ˜¾æ›´å¿«çš„å¼€å…³é€Ÿåº¦å’Œæ›´ä½Žçš„ä¼ å¯¼æŸè€—的功率模å—。为了在实际应用ä¸å‘挥全SiC功率模å—的所有优势,门æžé©±åŠ¨å™¨ç”µè·¯è®¾è®¡æ¯”以往任何时候都更具挑战性,需è¦è§£å†³ä¸‰ä¸ªä¸»è¦é—®é¢˜ã€‚
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