飞思卡尔面向中国TD—SCDMA无线网络推出RF 功率系列产品

飞思卡尔半导体公司日前推出两款面向中国TD-SCDMA的LDMOS射频功率晶体管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3器件。这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。

TD-SCDMA是在中国开发的第三代无线标准，由中国最大的无线通信运营商使用。根据 TD-SCDMA 论坛，将近770万用户（约为全国 3G用户的43%）通过TD-SCDMA网络接受服务。

MRF8P20160HSR3晶体管和MRF8P20100HSR3器件均采用飞思卡尔最新的高压第八代（HV8）LDMOS技术，它提供的性能水平位居业界最高行列。 两个器件都提供对宽带的固有支持，所以能够在专为TD-SCDMA的运行而分配的两个频带(1880-1920MHz及2010-2025MHz)上提供它们的额定性能，这让一个单独的器件能够为两个频带提供服务。

TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架构，该架构包含两个放大器，它们共同提供所有的运行条件。这通常要求在载波以及功率放大器的末级功峰值路径中配置单独的RF功率晶体管。然而，飞思卡尔的LDMOS 晶体管均采用“双路径”设计，其中，Doherty末级放大器的实施所要求的两个放大器被集成在一个单独的封装内。这将把所需器件的数量减少一半。这些优势，加上高增益、高效率及低功耗，能够降低TD-SCDMA放大器的生产成本、减少所需的组件并降低放大器的复杂度。

MRF8P20160HSR3 产品特性

• 37W的平均射频输出功率（P1dB 压缩下连续波 (CW) 输出功率为160W）

• 45.8 % 的漏级效率

• 16.5 dB 的增益

• 在输入信号峰均比为9.9dB的信号状态下测量，ACPR为-30.6dB（±5MHz偏移下的通道带宽为3.84MHz）。

MRF8P20100HSR3 产品特性

• 20W的平均射频输出功率（P1dB 压缩下的连续波 (CW) 输出功率为126W）

• 44.3 % 的漏级效率

• 16dB的增益

• 在输入信号峰均比为9.9dB的信号状态下测量， ACPR为-33.5dB（±5MHz偏移下的通道带宽3.84MHz）。

两款器件的工作电压均为26-32V，能在32V直流电源下处理的电压驻波比为10:1，它们在设计上是为了与数字预失真误差校正电路一起使用。它们带有内部预匹配，采用空腔陶瓷封装，可以提供胶带和卷轴式包装。这些器件还包含静电保护措施，防止在装配线上遇到静电释放影响。静电释放保护也使门电压在-6V和+10V 之间宽幅波动，从而提高了高效模式（如C级模式）下运行的性能。

这些先进的器件已成为飞思卡尔现有的LDMOS射频功率放大器阵营中的成员，用于支持TD-SCDMA的运行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多级集成功率放大器集成电路，每个器件均可在两个TD-SCDMA频带上提供10W的平均功率。

图1