“半导体大厂英特尔(Intel)在2017年初正式推出与存储器厂美光(Micron)合作的3D XPoint快闪存储器,并将其用在英特尔的Optane系列产品,协助过去运用传统硬盘开机的电脑,大幅缩减开机时间。尤其在极低延迟的情况下,3D XPoint快闪存储器有突出的随机性能,速度甚至是当前SSD的好几倍。
”半导体大厂英特尔(Intel)在2017年初正式推出与存储器厂美光(Micron)合作的3D XPoint快闪存储器,并将其用在英特尔的Optane系列产品,协助过去运用传统硬盘开机的电脑,大幅缩减开机时间。尤其在极低延迟的情况下,3D XPoint快闪存储器有突出的随机性能,速度甚至是当前SSD的好几倍。
面对市场越来越看好3D XPoint快闪存储器的同时,全球存储器龙头三星也推出类似的产品,也就是Z-NAND快闪存储器的Z-SSD。
相较英特尔在3D XPoint的Optane DC P4800X有350GB和750GB两种容量,三星首款使用Z-NAND的SSD则是SZ985,只有800GB一种容量。采用HHHL半高半长的PCI-E卡规格,使用PCI-E 3.0×4介面,连续读写速度都是3.2GB/s,最大随机读写IOPS为750K/170K,读取延迟12-20us,写入延迟则是16us。
Z-NAND的SSD规格,与3D XPoint的Optane DC P4800X相比,3D XPoint连续读写速度为2.4/2GB/s,最大随机读写IOPS为550K/500K,读写延迟都是10u。数据上看来,三星Z-NAND性能的确不差,但3D XPoint的低延迟优势仍然相当大。在双方耐久度都是30 DWPD情况下,3D XPoint仍具技术优势。
另外,三星Z-NAND相比英特尔与美光3D XPoint,革命性与创新性就显得比较小。原因是Z-NAND其实就是64层堆叠的SLC快闪存储器,且应是运行在SLC模式下的MLC快闪存储器。藉由SLC模式,可强化性能与耐久性。三星还提到采用独特电路设计,也就是在快闪存储器封装中使用更短位线,可提高性能。
最后,三星还透露未来会推出MLC快闪存储器的变种产品。该产品性能会稍微下降,不过容量更大。市场预期,三星SZ985未来应该会是英特尔 Optane的强力竞争对手。就目前市场状况,3D XPoint性能虽好,但价格高昂,产能也受局限。三星SZ985应不用担心产能问题。目前就静待三星公布价格,再看看是不是能为消费者接受了。
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