UnitedSiC推首款750V SIC FETs 性能取得突破性发展

随着半导体技术的提升，以SiC和GaN为代表第三代半导体材料越来越受到关注。与传统硅工艺相比，SiC和GaN等宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻（RDS）以及更小的器件物理尺寸。很多传统半导体巨头将其视作未来功率器件新战场，近年来纷纷加码该领域，这其中包括领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司。

近日，UnitedSiC推出了基于其第四代SiC FET先进技术平台的四款器件，让其强大的业界领先 SiC FET 产品组合更趋完善。该产品的性能取得了突破性发展，旨在加速在汽车充电、工业充电、电信整流器、数据中心 PFC 直流转换、可再生能源和储能应用中采用宽带隙器件。

这四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。

据UnitedSiC公司FAE经理Richard Chen介绍，新产品是市面上首家做到750V的SIC FETs，同类产品电压一般为650V或650V以下，对于电动汽车等领域要求的400/500V总线电压应用，新产品可以为设计人员提供更多的余量并减少其设计约束。

同时，新产品由于与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V栅极电压驱动，可以将他们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。

UnitedSiC的产品应用领域广泛，从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，新产品可以帮助各行各业的工程师解决他们在满足最高电压和功率要求时所面临的各种挑战。

据悉，UnitedSiC将在未来扩大产品组合，在性价比、散热功率和设计余量等方面实现进一步提高，以帮助工程师加速创新。

UnitedSiC与中国客户的合作早在2016年初就已经开展，几乎覆盖了所有领域，包括电动汽车的OBC，DC/DC，驱动；快速充电桩，电信电源，服务器电源，太阳能，储能以及高压断路器等，销售和技术支持网络覆盖全国。据悉，UnitedSiC很快会在深圳成立应用实验室，进一步优化对客户的支持。