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中电网在线座谈首页> 座谈热搜词大全> 二极管 共找到 二极管 相关结果16个

• 2024年09月12日

  10:00--11:30

  

  • YAGEO保护元件的应用方案介绍
  • 简 介： 本次课程将深入探讨保护元件的关键选型指南，内容涵盖了四种核心保护元件：TVS（瞬态抑制二极管）、MOV（金属氧化物压敏电阻）、GDT（气体放电管）以及PPTC（自恢复保险丝）。这些元件在电路保护中发挥着至关重要的作用，各自的应用场景和选型要求也各不相同。在课程中，我们将详细讲解这些元件的工作原理、关键参数以及如何根据具体应用需求进行合理..
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• 2024年08月13日

  14:00--15:00

  

  • BridgeSwitch-2电机驱动器IC：助力冰箱压缩机逆变器效率超98%，待机功耗低于10mW
  • 简 介： 新的家电效率标识和新兴的待机法规（例如欧盟ErP）要求重新设计冰箱压缩机逆变器，以最大限度地提高轻载效率并实现最低的空载和待机功耗。Power Integrations最近推出BridgeSwitch™-2产品系列，进一步增强无刷直流(BLDC)电机的软硬件组合解决方案，新品可将逆变器轻载效率提高到99%，并将逆变器睡眠模式功耗降低至10mW以下。
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• 2023年03月22日

  10:00--11:30

  

  • 长距离、高分辨率的LiDAR解决方案
  • 简 介： 放眼全球，中国LiDAR市场发展持续强劲。罗姆的高输出激光二极管具有全球高水准的出色光束质量，非常有助于提高LiDAR性能。此外，为了充分地发挥高输出激光二极管性能，罗姆将新开发的GaN HEMT (EcoGaN™) 和栅极驱动器相结合，实现超高速驱动，推出长距离、高分辨率的LiDAR解决方案以及相应的参考设计，在此将为您带来详细介绍。 ..
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• 2022年03月29日

  10:00--11:30

  

  • Microchip的SiC交货期计划可满足您的产品上市时间
  • 简 介： 供应链紧张和（功率）半导体元件短缺的情况预计将持续到整个2022年。Microchip针对可靠耐用的700V、1200V、1700V和3.3 kV SiC MOSFET和肖特基势垒二极管的平均交货期计划为16周，这将帮助客户保持业务发展势头。在本次网络研讨会中，您将了解如何确保稳定、长期的SiC供应，以及Microchip的整体系统解决方案。
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• 2021年12月15日

  10:00--11:30

  

  • 面向LiDAR的激光二极管和系统电源解决方案
  • 简 介： 随着LiDAR系统的不断普及， 对于交通安全性、效率、控制等方面的功能要求也日益增长。 在其中发挥关键作用的激光二极管的性能和周围的控制电路技术方面， 罗姆提出了相应的解决方案旨在减少设计工时和节省空间。 与此同时，在本次线上研讨会中还会为大家介绍Arrow公司基于罗姆解决方案的参考板。 • 本次活..
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• 2021年04月22日

  14:00--15:30

  

  • Littelfuse在快充和各类端口的保护方案
  • 简 介： 基于快充小体积、高功率密度和高可靠性等需求的发展趋势，Littelfuse 推出了众多的过流、过压保护器件，如贴片高分断能力保险丝、贴片低嵌位电压TVS二极管等来满足这个市场的应用需求。同样在各类端口，如AC/DC、Ethernet、高低频信号HDMI/USB端口等，Littelfuse也推出了全面的电路保护方案。 • 凡当天参加研..
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• 2016年10月26日

  10:00--12:00

  

  • 传感器及其使用
  • 简 介： 在该在线研讨会中，我们将介绍如何将物理信号转变为模拟/电气信号，然后转变回物理信号。我们将讨论各种器件，包括温度传感器和光电二极管（模拟/电气信号）；执行器、扬声器和电机（物理信号）。我们还将讨论如何处理信号实现最高精度的再现。
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• 2014年07月17日

  10:00--12:00

  

  • CFP15 封裝肖特基二級管在微型化charger设计
  • 简 介： 恩智浦半导体提供完整肖特基二级管产品应用于Charger设备二次侧整流二极管的应用方案，以支持客户能得到更好的效率，降低高度限制，减少电路板尺寸。 本次研讨会将从以下几方面进行介绍： 1.  创新封装技术 2.  新 45V/50V 电源肖特基二级管 3.  脚位布局与可悍性
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• 2012年12月26日

  10:00--12:00

  

  • 业界首款光耦替代产品--SI87XX隔离器件
  • 简 介： Silicon Labs推出业界首款光耦合器的替代产品Si87xx数字隔离器，其基于主流CMOS技术并具有创新的发光二极管（LED）模拟输入。Si87xx数字隔离器提供的引脚配置、封装型式，可兼容多种光耦合器产品。 光耦的使用历史已超过40年，由于受限于过时的LED技术，导致其输出讯号对于输入电流、温度和老化的变敏感。输出变化将降低光耦合器生命周期中的运行..
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• 2011年12月20日

  10:00--12:00

  

  • 瑞萨电子DrMOS 多芯片模块介绍
  • 简 介： 符合Intel标准的DrMOS 6x6技术规范，DrMOS 多芯片模块在QFN封装内整合了上、下管MOSFET及肖特基二极管和MOSFET驱动器，内置式功率MOSFET适用于输入电压为5V/12V的应用，与功率MOSFET匹配的内置式驱动器电路。该模块还内置式三态输入功能，支持大量PWM控制器，能够实现3.3V/5V PWM信号。
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