2024年08月13日
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2018年10月17日
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2014年04月29日
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2013年11月6日
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2010年09月15日
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2008年06月24日
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2007年06月15日
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2004年02月18日
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2002年03月21日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 |
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姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 |
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蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 |
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周丽娜 |
周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。
今天，我们将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。这两项技术首次成功集成于Intel 20A制程节点，也将用于Intel 18A。
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。
二极管和晶体管都是如此，它们由二极管 P 和 N 材料制成。二极管类别包括两个可能对控制工程师很重要的例子：硅二极管和 LED。
| [问:] | 微型模块开发阶段焊接似乎是个问题 |
| [答] | 严格按照我们的焊接要求，包括MSL floor life，最高焊接温度等 |
| [问:] | 关于晶片的尺寸，在哪里查？ |
| [答] | 需要找相关sales和FAE去查 |
| [问:] | 在数据中心的场合，满负载。对散热有什么建议？是不是得水冷了？ |
| [答] | 可以利用我们的超薄模块，借助于主芯片的散热器散热 |
| [问:] | 稳压器最大功率是多少? |
| [答] | 我们一般按照散热来考虑最大功率的，像LTM4700最大功率在100W以上 |
| [问:] | 微型模块和传统的有何优势 |
| [答] | 体积小，功率密度高，效率高，可靠性高，设计简单 |
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