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驱动器相关专家

专家介绍

	吴频吉	17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。
	姜辉	姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。
	蔡志威	有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。
	周丽娜	周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。

驱动器相关知识

选择工业自动化设备时需要考虑哪些关键因素？

选择最优的电机、驱动器和通信模块等工业自动化设备需要格外注重细节。例如，北美的美国电气制造商协会 (NEMA) 和欧洲的国际电工委员会 (IEC) 在电机和驱动器额定值方面就存在许多差异。
增强 E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

共源共栅 GaN 的结构如图 1 (a) 所示，在共源共栅配置中结合了低压常关硅 MOSFET 和高压常开 GaN HEMT。该组合有效地产生了增强模式行为，并且该技术自 2010 年代初期以来已投入商业应用。与原生 GaN 解决方案相比，硅 MOSFET 的公共栅极阈值电压为 4V，简化了栅极驱动要求，因为这些共源共栅 GaN 通常可以使用标准硅栅极驱动器进行驱动。
高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析，一文get√

高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。
汽车LED驱动器功率转换拓扑指南

在很多系统中（包括汽车动力输出系统中部署的众多调节器），功率转换控制器的设计都是一项困难而复杂的工作。本文说明了LED驱动器使用的不同开关拓扑的优势、权衡取舍和应用，旨在简化选择过程。
开关功率晶体管的选择和正确操作：第 2 部分

当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载，这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此，除非驱动器可以提供几安培的电流，否则开关速度将大大减慢。如此强大的输出级需要大型、昂贵的芯片，尤其是 CMOS 芯片。
I2C信号为什么需要上拉电阻

I2C信号需要上拉电阻的原因与其工作原理密切相关。I2C是一种开放漏极（open-drain）或开集电极（open-collector）的通信协议，这意味着驱动器（主设备或从设备）只能将线拉低到低电平（逻辑0），但不能主动将线拉高到高电平（逻辑1）。

驱动器相关问答

[问:]	调光闪烁怎样解决
[答]	这个方案是不支持可控硅搞光的，如果要做需额外处理
[问:]	[问:]如果驱动一个25W左右750mA的LED，贵公司有适合的DC/DC应用吗？[专家回答:]如果是降压恒流可以考虑用NCL30161来做亮度调整可以吗？
[答]	可以，支持PWM和模拟调光
[问:]	如果驱动一个25W左右750mA的LED，贵公司有适合的DC/DC应用吗？
[答]	如果是降压恒流可以考虑用NCL30161来做
[问:]	具体参数如何，可否设计使用在本安电路？
[答]	输出有短路保护，应该可以。
[问:]	样片如何申请？
[答]	联系我们的代理商申请

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